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    解讀電源模塊簡化低EMI設計方案

    時間:2018-12-06 08:48:58來源:網絡 作者:admin 點擊:
    本文將介紹開關電源中EMI的以及降低EMI的方法或技術。本文還將向您展示電源模塊(控制器、高側和低側FET及電感器封裝為一體)如何幫助降低EMI。


      LMR23630轉換器的性能
      圖11.具有不同輸入電容布局的LMR23630轉換器的EMI輻射。
      圖11顯示了不同設計布局的四種不同EMI頻譜。設計布局從優至劣排列(類似于圖5,只是把各步驟分開)。第一次測量(良好布局/藍線)時,未對EVM的布局做出更改(良好布局中所有的輸入電容器都非?拷斎胍_)。第二次測量(小電容器靠近/紅線)時,兩個4.7μF電容器均放置在距輸入引腳2.5厘米處。0.22μF的小電容器非?拷斎胍_。在第三(小電容器遠離/綠線)和第四(無小電容器/紫線)次測量時,小電容器分別距輸入引腳2.5厘米,然后完全移除。
      您可以在圖11中看到輸入電容器的放置非常關鍵。將小輸入電容器遠離輸入引腳放置或將其完全移除會違背CISPR 22 A3M級標準。將小電容器靠近輸入引腳放置可以最大限度地減少高頻環路面積。小電容器可濾除高頻噪聲,而較大電容的電容器可濾除低頻噪聲。
      電源模塊的封裝中通常包含一個小輸入電容器。讓我們看看布局不良時電源模塊的性能。
      LMZM33603電源模塊的性能
      圖12顯示了電源模塊的EVM布局,同樣從優至劣排列。藍線表示未更改EVM的EMI輻射。紅線和綠線表示不良布局,其中一條線有兩個4.7μF輸入電容器,位于PCB底部下方(紅線)。綠線的電容器距輸入引腳約3.5厘米(圖13中以紅色橢圓形突出顯示)。圖13中的紅色粗線還顯示了更改后的EVM,以及VIN、輸入電容器和接地之間形成的關鍵環路區域。EMI特性變差,但并不違背CISPR 22 A3M級標準。


      圖12.TI LMZM33603電源模塊的EMI輻射特性

    圖13.TI LMZM33603電源模塊的不良布局示例。


      電源模塊可以補救布局設計錯誤
      圖14在單個圖表中對LMR23630轉換器(紅線)和LMZM33603電源模塊(藍線)做出了對比。兩者均有類似的不良布局,所有外部輸入電容器都遠離輸入引腳。
      顯然,LMZM33603電源模塊的EMI輻射特性要優于LMR23630轉換器。盡管兩種布局均不完美,但電源模塊會通過CISPR測試,而轉換器無法通過測試。


      圖14.比較TI LMR23630轉換器和LMZM33603電源模塊的EMI特性。


      結論
      正如前文所說,為開關電源創建良好的布局設計具有挑戰性。即使是經驗豐富的工程師也容易犯錯,例如輸入電容器的放置位置不當。
      電源模塊更有利于減少設計布局錯誤。在滿足EMI特性方面,它們是開關電源的理想選擇,并且對高效利用設計時間至關重要。

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