紫外線探測器SG01D-C18應用于紫外光刻機
A 手動：指的是對準的調節方式，是通過手調旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對準，對準精度可想而知不高了；
B 半自動：指的是對準可以通過電動軸根據CCD的進行定位調諧；
C 自動： 指的是 從基板的上載下載，曝光時長和循環都是通過程序控制，自動光刻機主要是滿足工廠對于處理量的需要。
曝光系統最核心的部件之一是紫外光源, 常見光源分為:
可見光：g線：436nm
紫外光（UV），i線：365nm
深紫外光（DUV）,KrF 準分子激光：248 nm, ArF 準分子激光：193 nm
極紫外光（EUV），10 ~ 15 nm
對光源系統的要求:
a.有適當的波長。波長越短，可曝光的特征尺寸就越��；[波長越短，就表示光刻的刀鋒越鋒利，刻蝕對于精度控制要求越高。]
b.有足夠的能量。能量越大，曝光時間就越短；
c.曝光能量必須均勻地分布在曝光區。[一般采用光的均勻度或者叫不均勻度 光的平行度等概念來衡量光是否均勻分布]
常用的紫外光光源是高壓弧光燈（高壓汞燈），高壓汞燈有許多尖銳的光譜線，經過濾光后使用其中的g線（436 nm）或i線（365 nm）。對于波長更短的深紫外光光源，可以使用準分子激光。例如KrF準分子激光（248 nm）、ArF準分子激光（193 nm）和F2準分子激光（157 nm）等。曝光系統的功能主要有：平滑衍射效應、實現均勻照明、濾光和冷光處理、實現強光照明和光強調節等。
光刻機的主要性能指標有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。
分辨率是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。
對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。
曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。
曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區域，光源有汞燈，準分子激光器等。
最后小編推薦一款應用在紫外光刻機中的紫外線探測器，由工采網從國外引進的紫外光電二極管 - SG01D-C18, SiC具有極其特別的優點，能承受高強度的輻射，對可見光幾乎不敏感，產生的暗電流低，響應速度快，這些特性使得SiC成為能夠抑制可見光用來制作半導體紫外線探測器很好的材料。SiC探測器可以長期工作在高達170℃的溫度中，溫度系數低（<0.1%/K）并且噪音低，能夠有效的監測到很低的輻射強度（需配置相應的放大器）。容－源－電－子－網－為你提供技術支持
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